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STP100N10F7  与  IPP076N12N3 G  区别

型号 STP100N10F7 IPP076N12N3 G
唯样编号 A-STP100N10F7 A-IPP076N12N3 G
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 100V 80A TO-220
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.6mΩ
上升时间 - 50ns
漏源极电压Vds - 120V
Pd-功率耗散(Max) - 188W
Qg-栅极电荷 - 76nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 116S,58S
典型关闭延迟时间 - 39ns
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id - 100A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 10mm
下降时间 - 10ns
典型接通延迟时间 - 24ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
IRFB4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFB4310ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
AOT2918L AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 90A TO220 267W

暂无价格 0 对比
PSMN009-100P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100P_SOT78 N-Channel 230W 175℃ 3V 100V 75A

¥14.0254 

阶梯数 价格
20: ¥14.0254
50: ¥11.4962
0 对比
IPP076N12N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP076N12N3GXKSA1_120V 100A 7.6mΩ 20V 188W -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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